“自行量產(chǎn)”，就是自主量產(chǎn)或者自主生產(chǎn)的意思吧，“12nm以下”一定是12nm到7nm，直至5、3nm以下。

其實(shí)應(yīng)該是“28nm以下”。已知，我國(guó)早就能獨(dú)立自主地量產(chǎn)28nm以上的芯片，因?yàn)樵?016年自主制造出了90nm的低端國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)。后來(lái)，中芯國(guó)際在2017年到2020年的三年余時(shí)間里，接連研發(fā)出了28nm、14nm、12nm、n+1和7nm這 5 個(gè)世代的工藝技術(shù)，其中，前 4 個(gè)都實(shí)現(xiàn)了規(guī)模量產(chǎn)，28nm還持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)能了呢，卻都不是自主性質(zhì)的，因?yàn)檠邪l(fā)和量產(chǎn)所依靠的光刻機(jī)和其它工藝設(shè)備、零配件、原材料這些東西分別是荷蘭和美國(guó)提供的，我們國(guó)內(nèi)還沒(méi)有實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代。正因?yàn)椴皇亲灾髁慨a(chǎn)，12nm和n+1的規(guī)模量產(chǎn)在2020年戛然中止，至今也沒(méi)有恢復(fù)，7nm技術(shù)到現(xiàn)在連風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)都沒(méi)有進(jìn)入，只剩下28和14nm至今還在被“例外”著；也正因?yàn)椴皇亲灾髁慨a(chǎn)，中芯國(guó)際才不得不執(zhí)行美國(guó)的新產(chǎn)品規(guī)則，不再給華為代工自研的14nm芯片了，如麒麟710A。

12到7nm芯片在2025年應(yīng)該能自主量產(chǎn)。按在網(wǎng)上一直持續(xù)的一致性消息，特別是中科院在兩年前的肯定性預(yù)計(jì)，國(guó)產(chǎn)化的DUV中端光刻機(jī)能很快投入商用，我估計(jì)在2025年之前一定能，至于難度比DUV光刻機(jī)低不少或低很多的其他工藝設(shè)備和零配件、原材料的“三化”，即國(guó)產(chǎn)化、中端化和商用化，當(dāng)然都能更快。中芯國(guó)際只要、也只有依靠上來(lái)源自我們國(guó)內(nèi)的這些關(guān)鍵核心東西，才能自主量產(chǎn)12到7nm的芯片，包括自由地給華為量產(chǎn)7nm的手機(jī)用自研芯片，還可以自由地給華為量產(chǎn)7nm以下的自研芯片，因?yàn)槿A為現(xiàn)在就自主地?fù)碛辛烁鼮橄冗M(jìn)的堆疊封裝技術(shù)。

5到3nm芯片只會(huì)在2030年以后才能自主量產(chǎn)。因?yàn)樵?030年之前，傳統(tǒng)技術(shù)路線的國(guó)產(chǎn)EUV光刻機(jī)才有可能造出來(lái)，如果到時(shí)候真的造出來(lái)了，才意味著我們一個(gè)國(guó)就擁有了一整條高端又自主可控的芯片技術(shù)鏈產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈，盡管還媲美不了美國(guó)那時(shí)主導(dǎo)的多個(gè)國(guó)長(zhǎng)期以來(lái)合建的那一條。說(shuō)來(lái)，這是樂(lè)觀的估計(jì)，可能會(huì)晚一些，急不來(lái)的，雖然一定是在“上下大力支持”的情況下，雖然我們國(guó)內(nèi)在EUV光刻機(jī)等高端工藝設(shè)備以及零配件、原材料上，現(xiàn)在就已經(jīng)有了一定的技術(shù)積累。

只要是梁孟松不離開(kāi)中芯國(guó)際，那么我們自行量產(chǎn)12nm工藝技術(shù)的芯片只是時(shí)間問(wèn)題。

目前來(lái)說(shuō)，涉及到我國(guó)消費(fèi)電子領(lǐng)域的芯片，國(guó)產(chǎn)化程度最高的也就是中芯國(guó)際在之前給華為代工的麒麟710a。這款芯片采用的是中芯國(guó)際14nm工藝技術(shù)，由于當(dāng)時(shí)代工生產(chǎn)的時(shí)候，美國(guó)的對(duì)于華為的禁令還沒(méi)有到第四輪，所以這款芯片是含有少量美國(guó)技術(shù)的。

現(xiàn)在我們半導(dǎo)體領(lǐng)域，主要的難點(diǎn)就是技術(shù)跟設(shè)備材料。

尤其是涉及到民用芯片上面，民用芯片追求的就是工藝、性能跟能耗比。就拿手機(jī)芯片來(lái)說(shuō)，現(xiàn)在手機(jī)芯片的工藝發(fā)展速度非?？?，基本上半年就推出新架構(gòu)和新工藝，由于不同代工廠商的技術(shù)優(yōu)化不同，所以現(xiàn)在各個(gè)半導(dǎo)體大廠都在不斷優(yōu)化性能跟能效之間的平衡。

新架構(gòu)跟新工藝的不斷更新，所帶來(lái)的就是材料跟高精度設(shè)備的不斷更新。

就目前來(lái)說(shuō)，國(guó)際上主流的芯片制造設(shè)備就是asml公司生產(chǎn)的EUV光刻機(jī)，這種光刻機(jī)可以支撐起來(lái)5nm、3nm這種先進(jìn)制程工藝的芯片制造。而我國(guó)目前已知的光刻機(jī)，就是上海微電子生產(chǎn)的產(chǎn)品，只能支撐起90nm工藝的產(chǎn)品制造。

本來(lái)中芯國(guó)際是我國(guó)最有可能在短時(shí)間內(nèi)追平三星、臺(tái)積電，并且有望實(shí)現(xiàn)自主技術(shù)生產(chǎn)的廠商。但是在2020年年底，美國(guó)把中芯國(guó)際列入實(shí)體清單，封禁了10nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)所需的設(shè)備和材料。

美國(guó)的禁令，對(duì)于中芯國(guó)際的發(fā)展來(lái)說(shuō)阻力非常大。中芯國(guó)際發(fā)展最快速的時(shí)候，就是從2017年梁孟松加入開(kāi)始的。

當(dāng)時(shí)梁孟松帶領(lǐng)著團(tuán)隊(duì)用了不到1年的時(shí)間，把中芯28nm的良品率提升到了85%以上。隨后又用了兩年左右的時(shí)間，讓中芯國(guó)際的14nm技術(shù)成功量產(chǎn)商用，緊接著又投入到7nm、5nm以及n+1技術(shù)的發(fā)展當(dāng)中。

一邊發(fā)展新技術(shù)，一邊在28nm這種老舊的工藝上面，開(kāi)始采用國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈進(jìn)行生產(chǎn)制造，逐步發(fā)展去美化路線。

中芯國(guó)際的28nm生產(chǎn)線基本已經(jīng)不怎么依靠美國(guó)的技術(shù)了，國(guó)內(nèi)的供應(yīng)鏈足夠應(yīng)付得過(guò)來(lái)。而且中芯國(guó)際已經(jīng)掌握了7nm這種先進(jìn)制程工藝的主要技術(shù)手段，現(xiàn)在只要解決了EUV光刻機(jī)的問(wèn)題，那么中芯國(guó)際就可以對(duì)這種先進(jìn)工藝進(jìn)行制造測(cè)試。

12nm在現(xiàn)在來(lái)說(shuō)，已經(jīng)不屬于先進(jìn)制程工藝了。所需要的設(shè)備也不會(huì)只卡著EUV光刻機(jī)了，用DUV光刻機(jī)進(jìn)行制造就足夠了。

荷蘭asml公司在光刻機(jī)的進(jìn)出口上面，對(duì)我國(guó)一直是處于開(kāi)放的態(tài)度。但是美國(guó)一直在給荷蘭政府施壓，所以現(xiàn)在就連幾年前的DUV光刻機(jī)，我國(guó)也很難從asml公司手里面購(gòu)買(mǎi)到。

現(xiàn)在的情況就是，中芯國(guó)際已經(jīng)掌握了12nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)工藝，只要是解決了光刻機(jī)跟其他材料的問(wèn)題，那么我們就可以開(kāi)始進(jìn)行測(cè)試生產(chǎn)，從而進(jìn)一步發(fā)展去美化路線。

只要有光刻機(jī)，很快就可以。關(guān)健是美國(guó)作梗14nm以下光刻機(jī)我國(guó)現(xiàn)在還買(mǎi)不到。好消息是純國(guó)產(chǎn)28nm光刻機(jī)正在研制中，而且快成功了，到那時(shí)70%的應(yīng)用場(chǎng)景有28nm就夠了。不過(guò)要國(guó)產(chǎn)14nm光刻機(jī)難度挺大，恐怕三兩年做不到，7nm就更難了。